试验旨在研究氟对HepG2细胞的氧化损伤。研究观察细胞形态，根据氟暴露HepG2细胞48 h的半抑制浓度（IC50值）选择0、1.88、2.51和3.76 mmol/L等4个氟暴露浓度作为试验分组，即对照组、1.88 mmol/L F-组、2.51 mmol/L F-组和3.76 mmol/L F-组。研究采用荧光探针法检测细胞内活性氧（ROS）和线粒体膜电位（MMP）水平的变化，比色法检测细胞上清乳酸脱氢酶（LDH）、谷胱甘肽过氧化物酶（GSH-Px）、还原型谷胱甘肽（GSH）和谷胱甘肽过氧化物酶4 (GPX4)的活性。结果显示，与对照组相比，各试验组细胞生长状态差，1.88 mmol/L F-组ROS水平显著提高（P<0.05）,2.51 mmol/L F-组和3.76 mmol/L F-组ROS水平极显著提高（P<0.01），各试验组MMP水平均极显著降低（P<0.01）；各试验组LDH活性极显著升高（P<0.01）,GSH-Px、GSH、GPX4活性极显著降低（P<0.01）。研究表明，氟暴露导致细胞内ROS的过量产生，引起HepG2细胞内的氧化应激，降低细胞氧化酶的含量和活性，导致线粒体损伤。